| 专利名称 | 一种高温下稳定使用的铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法 | 申请号 | CN200610147892.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1994966 | 公开（授权）日 | 2007.07.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 李玉臣;包绍明;周志勇;姚烈;董显林 | 主分类号 | C04B35/462(2006.01) | IPC主分类号 | C04B35/462(2006.01);C04B35/475(2006.01);C04B35/622(2006.01) | 专利有效期 | 一种高温下稳定使用的铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法 至一种高温下稳定使用的铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种在高温下稳定使用的铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法，属压电陶瓷领域。铋层状结构型压电陶瓷材料的化学通式为：Bi2O22+(Am－1BmO3m+1)2；其中CaBi4Ti4O15相应的化学式为：(Bi2O2)2+(CaBi2Ti4O13)2+，A位为Ca2+、Bi3+离子，B位为Ti4+离子，m＝4。本发明的压电陶瓷材料采用传统固相反应法进行制备，可获得各种形状的压电陶瓷元件；材料的主要性能为：ε33T/ε0＝130，tanδ＝0.10％，Tc＝782℃，d33＝19pC/N，ρv(480℃)＝1×109Ω·cm，且能在室温至480℃范围内反复使用。利用这类陶瓷元件组装成的各种压电传感器，可在高温条件下的测量、探测与自动控制等方面获得广泛应用。 |
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