| 专利名称 | 一种高体电阻率铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法 | 申请号 | CN200610147890.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1986485 | 公开（授权）日 | 2007.06.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 李玉臣;周志勇;包绍明;姚烈;董显林 | 主分类号 | C04B35/462(2006.01) | IPC主分类号 | C04B35/462(2006.01);C04B35/475(2006.01);C04B35/622(2006.01);H01L41/187(2006.01) | 专利有效期 | 一种高体电阻率铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法 至一种高体电阻率铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种高体电阻率铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法，属于陶瓷组成与制备领域。铋层状型压电陶瓷材料的化学通式为：(Bi2O2)2+(Am－1BmO3m+1)2－；其中，SrBi4Ti4O15相对应的化学式为：(Bi2O2)2+(SrBi2Ti4O13)2－，A位是Sr2+、Bi3+离子，B位是Ti4+离子，m＝4。本发明采用行星球磨、敞开粉末合成、敞开烧结的压电陶瓷工艺进行制备，材料的主要性能为：ε33T/ε0＝160±20，tanδ＝0.28％，Tc＝530℃，d33＝21pC/N，ρv(400℃)＝1.2×1010Ω·cm，可以制成各种形状的压电陶瓷元件，且能在室温至400℃范围内反复使用。利用这种材料制得的陶瓷元件，组装成各种压电传感器，可以在高温条件下的测量、探测与自动控制方面获得广泛应用。 |
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