| 专利名称 | 生长纳米级气泡的方法及其观察并控制装置与方法 | 申请号 | CN200510111757.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1987414 | 公开（授权）日 | 2007.06.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海应用物理研究所 | 发明（设计）人 | 张立娟;胡钧;方海平;樊春海;张益;沈广霞 | 主分类号 | G01N13/00(2006.01) | IPC主分类号 | G01N13/00(2006.01);G01N1/28(2006.01);C25B1/00(2006.01) | 专利有效期 | 生长纳米级气泡的方法及其观察并控制装置与方法 至生长纳米级气泡的方法及其观察并控制装置与方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种生长纳米级气泡的方法，其采用电化学方法，以疏水的、表面粗糙度不超过10纳米的导电材料为工作电极，同时作为生长纳米气泡的基底，并控制电压至少为0.7V的正压或负压，反应时间为1秒～2.5小时。本发明也公开了一种观测并控制上述生长纳米级气泡的装置和方法。本发明方法可以产生某一单体成分的纳米级气泡，具有很好重现性，操作简便；而且，通过改变电压和反应时间可以控制纳米气泡的大小和数量。 |
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