专利名称 | 一种高性能B超换能器用压电陶瓷材料及其制备方法 | 申请号 | CN200610147891.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN1986486 | 公开(授权)日 | 2007.06.27 | 申请(专利权)人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明(设计)人 | 李玉臣;包绍明;姚烈;董显林 | 主分类号 | C04B35/491(2006.01) | IPC主分类号 | C04B35/491(2006.01);C04B35/622(2006.01);H01L41/187(2006.01) | 专利有效期 | 一种高性能B超换能器用压电陶瓷材料及其制备方法 至一种高性能B超换能器用压电陶瓷材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种高性能B超换能器用压电陶瓷材料及其制备方法,属压电陶瓷领域。其特征在于:材料的基本化学组成为:Pb1-m-nSrmBan(Nb2/3Mg1/3)x(Nb2/3Zn1/3)0.25-xZryTizO3+amolSiO2+bmolSb2O3,其中,m+n=0~0.20;x=0.0~0.25;y=0.20~0.40;z=0.20~0.4;x+y+z=1;a=0.0~0.5;b=0.0~0.5。本发明采用铌锌、铌镁和锆钛酸铅组成四元系压电陶瓷,在A位用Sr和Ba复合置换部分铅,并通过添加合适的添加物,采用传统固相反应法,获得了一种压电常数d33=780pC/N,ε33T/εo=3800,tanδ=1.36,Kp=0.75,Qm=55的高性能压电陶瓷材料。利用这种材料制得的陶瓷元件,组装成压电换能器,可以在医疗超声成像检测等方面获得广泛应用。 |
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