一种高性能B超换能器用压电陶瓷材料及其制备方法

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专利名称 一种高性能B超换能器用压电陶瓷材料及其制备方法 申请号 CN200610147891.9 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN1986486 公开(授权)日 2007.06.27 申请(专利权)人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明(设计)人 李玉臣;包绍明;姚烈;董显林 主分类号 C04B35/491(2006.01) IPC主分类号 C04B35/491(2006.01);C04B35/622(2006.01);H01L41/187(2006.01) 专利有效期 一种高性能B超换能器用压电陶瓷材料及其制备方法 至一种高性能B超换能器用压电陶瓷材料及其制备方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 一种高性能B超换能器用压电陶瓷材料及其制备方法,属压电陶瓷领域。其特征在于:材料的基本化学组成为:Pb1-m-nSrmBan(Nb2/3Mg1/3)x(Nb2/3Zn1/3)0.25-xZryTizO3+amolSiO2+bmolSb2O3,其中,m+n=0~0.20;x=0.0~0.25;y=0.20~0.40;z=0.20~0.4;x+y+z=1;a=0.0~0.5;b=0.0~0.5。本发明采用铌锌、铌镁和锆钛酸铅组成四元系压电陶瓷,在A位用Sr和Ba复合置换部分铅,并通过添加合适的添加物,采用传统固相反应法,获得了一种压电常数d33=780pC/N,ε33To=3800,tanδ=1.36,Kp=0.75,Qm=55的高性能压电陶瓷材料。利用这种材料制得的陶瓷元件,组装成压电换能器,可以在医疗超声成像检测等方面获得广泛应用。

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