| 专利名称 | 一种适于器件化的磁性隧道结及其用途 | 申请号 | CN200510130665.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1988199 | 公开（授权）日 | 2007.06.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 魏红祥;马明;覃启航;韩秀峰;詹文山 | 主分类号 | H01L43/08(2006.01) | IPC主分类号 | H01L43/08(2006.01);H01L43/10(2006.01);H01F10/00(2006.01);H01F10/32(2006.01);G11C11/16(2006.01);G11C11/15(2006.01);G11B5/39(2006.01);G01R33/09(2006.01) | 专利有效期 | 一种适于器件化的磁性隧道结及其用途 至一种适于器件化的磁性隧道结及其用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种适于器件化的磁性隧道结，包括一衬底及其上的缓冲层，在所述的缓冲层上依次沉积的钉扎层、被钉扎软磁层、绝缘层、自由软磁层及覆盖层，其特征在于：所述的绝缘层为一复合膜层，其上下两层为0.2～2nm厚度的金属层或是绝缘体势垒层，中间层为0.5～5nm厚度的氧化铝膜层。该磁性隧道结能够广泛应用于以磁性隧道结为核心的各种器件。本发明提供的适于器件化的磁性隧道结，可以克服现有技术的缺陷，提高磁性隧道结的性能，使其在保持高的磁电阻比值和低的电阻与结面积的积矢的情况下，还具有重复性和稳定性好，信噪比高，寿命长等优点，能够满足大规模产品化的要求。 |
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