| 专利名称 | 采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法 | 申请号 | CN200510127446.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1979772 | 公开（授权）日 | 2007.06.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 石莎莉;陈大鹏;欧毅;谢常青;叶甜春 | 主分类号 | H01L21/306(2006.01) | IPC主分类号 | H01L21/306(2006.01);H01L21/31(2006.01);B81C1/00(2006.01) | 专利有效期 | 采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法 至采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法 | 法律状态 | 专利实施许可合同备案的生效、变更及注销 | 说明书摘要 | 本发明涉及微电子技术领域，特别是一种采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法。其工艺步骤如下：1.在<100>硅基片上淀积SiNx薄膜；2.光刻，刻蚀SiNx薄膜，形成腐蚀窗口，去胶；3.腐蚀硅衬底，形成硅突点；4.表面淀积SiO2薄膜牺牲层；5.光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离，刻蚀SiO2薄膜孔，去铬，清洗处理表面；6.表面淀积SiNx薄膜；7.积铬薄膜，光刻，去铬，刻蚀SiNx薄膜和SiO2薄膜腐蚀槽；8.腐蚀释放SiO2薄膜牺牲层；9.表面淀积SiNx薄膜，密封腐蚀槽。 |
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