| 专利名称 | 采用正性电子抗蚀剂制备金属纳米电极的方法 | 申请号 | CN200510130438.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1979768 | 公开（授权）日 | 2007.06.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 龙世兵;刘明;陈宝钦 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/027(2006.01);G03F7/00(2006.01) | 专利有效期 | 采用正性电子抗蚀剂制备金属纳米电极的方法 至采用正性电子抗蚀剂制备金属纳米电极的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种采用正性电子抗蚀剂制备金属纳米电极的方法。本发明的主要特征是利用电子束邻近效应，采用电子束光刻(EBL)在各种衬底上获得间距为纳米尺度的一对或一组具有线条、孔等各种形状的正性电子抗蚀剂凹槽图形，再辅以金属淀积和剥离工艺制备各种金属材料纳米电极。其主要步骤包括：在衬底上涂敷正性电子抗蚀剂；前烘；电子束直写曝光；显影；定影；蒸发或溅射金属；在丙酮中进行剥离。采用这种方法制备的金属纳米电极的间距可达到30－100nm，可用于制作各种量子点器件、纳米线、纳米管器件、单电子器件等多种器件或电路。这种方法具有工艺步骤少、简单、稳定可靠、用途多、能与传统CMOS工艺兼容的优点。 |
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