| 专利名称 | 基于平面工艺的左手非线性传输线倍频器及其制作方法 | 申请号 | CN200910310975.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102088003A | 公开（授权）日 | 2011.06.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 董军荣;杨浩;黄杰;田超;张海英 | 主分类号 | H01L21/84(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/84(2006.01)I;H01L27/13(2006.01)I | 专利有效期 | 基于平面工艺的左手非线性传输线倍频器及其制作方法 至基于平面工艺的左手非线性传输线倍频器及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种基于平面工艺的左手非线性传输线倍频器及其制作方法，属于微波电路技术领域。所述制作方法包括以下步骤：在半绝缘衬底上制得肖特基变容二极管，包括重掺杂N型层、N型层、下电极和上电极，N型层在重掺杂N型层上形成台面结构，重掺杂N型层在半绝缘衬底上形成台面结构；在半绝缘衬底上形成电容的下电极和电感的埋层引线；淀积形成介质层；通过刻蚀上电极、下电极、电容的下电极和电感的埋层引线处的介质层，形成窗口；形成电容的下电极、螺旋电感以及连接线。本发明基于平面工艺的左手非线性传输线倍频器的制作方法，采用平面工艺，易于实施，操作简单；易于单片集成，且集成度高；电路稳定性好，可靠性高。 |
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