| 专利名称 | 一种半导体金属氧化物光催化剂及其制备方法和用途 | 申请号 | CN200910111553.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101869848A | 公开（授权）日 | 2010.10.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 高水英;曹荣 | 主分类号 | B01J31/16(2006.01)I | IPC主分类号 | B01J31/16(2006.01)I;B01J31/18(2006.01)I;B01J31/02(2006.01)I;B01J21/06(2006.01)I;B01J23/30(2006.01)I;B01J37/00(2006.01)I;A62D3/17(2007.01)I;A62D101/28(2007.01)N;A62D101/26(2007.01)N;A62D101/20(2007.01)N | 专利有效期 | 一种半导体金属氧化物光催化剂及其制备方法和用途 至一种半导体金属氧化物光催化剂及其制备方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及半导体金属氧化物催化剂制备方法和用途。该催化剂采用层层自组装法，以多金属氧酸盐阴离子XW12O40n-(X＝B，Si，P，Ge)为无机阴离子，硫堇为有机阳离子，在半导体金属氧化物自组装上XW12-TH复合薄膜。该催化剂能够利用太阳光，对甲基橙和罗单明B染料分子等具有很好的光催化性能，在环保和节能方面具有潜在应用前景。 |
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