一种微电力机械系统振动射流执行器的制备方法

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专利名称 一种微电力机械系统振动射流执行器的制备方法 申请号 CN200510086971.3 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN1970432 公开(授权)日 2007.05.30 申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 欧毅;白宏磊;石莎莉;申功炘;陈大鹏 主分类号 B81C1/00(2006.01) IPC主分类号 B81C1/00(2006.01);G03F7/00(2006.01) 专利有效期 一种微电力机械系统振动射流执行器的制备方法 至一种微电力机械系统振动射流执行器的制备方法 法律状态 授权 说明书摘要 本发明涉及微电子器件制备技术领域,特别是一 种MEMS振动射流执行器芯片的制备方法,方法包括:1.采用 低压化学气相沉积的方法在硅衬底双面生长氮化硅膜;2.在硅 基片正面光刻出上电极图形;3.蒸发铬/金薄膜;4.超声剥离; 5.掩蔽刻蚀;6.在硅基片背面光刻腐蚀窗口图形;7.胶掩蔽刻蚀 背面腐蚀窗口上的氮化硅;8.湿法腐蚀释放拍动片结构;9.在 第二片硅片 上满片蒸发铬/金薄膜;10.在第二片硅片的金膜表面涂光学光 刻胶;11.将第一片硅片的背面与涂有光刻胶的第二片硅片粘 合;12.划片成线列器件;13.分别在上下硅片的金膜上焊接电 极引线。应用于小型无人飞行器上。

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