| 专利名称 | 正方晶格二维光子晶体 | 申请号 | CN200510086975.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1971312 | 公开（授权）日 | 2007.05.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 龚春娟;胡雄伟 | 主分类号 | G02B1/02(2006.01) | IPC主分类号 | G02B1/02(2006.01) | 专利有效期 | 正方晶格二维光子晶体 至正方晶格二维光子晶体 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明涉及二维光子晶体技术领域，特别是在低 频范围内拥有很大的绝对禁带相对值的正方晶格二维光子晶 体。与通常人工设计的光子晶体原胞有所不同，原胞被分割为 10×10个包含高折射率和低折射率介电材料的正方形象素结 构，高折射率介电材料和低折射率介电材料以一定的规律分布 在原胞的象素中，具体为：其中1代表高折射率介电材料，0 代表低折射率介电材料。本发明的原胞结构满足反演对称性。 当晶格常数a取1μm时，本发明 在硅/空气的材料背景下得到的低频区域绝对禁带的相对值为 13.25％。 |
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