| 专利名称 | 一种具有线性磁电阻效应的磁性多层膜及其用途 | 申请号 | CN200510123229.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1967891 | 公开（授权）日 | 2007.05.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 魏红祥;韩秀峰;赵静;杜关祥;王磊;王荫君 | 主分类号 | H01L43/08(2006.01) | IPC主分类号 | H01L43/08(2006.01);G01R33/09(2006.01);G01D5/16(2006.01);G11B5/127(2006.01);H01F10/00(2006.01);H01F10/32(2006.01) | 专利有效期 | 一种具有线性磁电阻效应的磁性多层膜及其用途 至一种具有线性磁电阻效应的磁性多层膜及其用途 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种具有线性磁电阻效应的磁性多 层膜，其为基于磁矩垂直于水平面的磁性材料的自旋阀磁电阻 器件，包括：一衬底，其上依次沉积了缓冲层、第一磁性层、 非磁金属导电层或者绝缘层、第二磁性层、反铁磁钉扎层及覆 盖层，所述的第一磁性层的磁矩方向为竖直方向，第二磁性层 的磁矩方向为水平方向，即第一磁性层的磁矩方向与第二磁性 层的磁矩方向相互垂直。本发明提供的对磁场呈线性响应的磁 性多层膜可用于磁场传感器和磁头。使用了本发明提供的磁性 多层膜的磁场传感器克服了一般传感器只能探测水平方向磁 场变化的缺点，在不改变传感器位置和方向的前提下，可以实 现垂直方向磁场的测量。 |
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