| 专利名称 | 一种铁薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201010225691.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101886243A | 公开（授权）日 | 2010.11.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 孟健;武晓杰;刘孝娟;吕敏峰;邓孝龙 | 主分类号 | C23C14/14(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/14(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 专利有效期 | 一种铁薄膜的制备方法 至一种铁薄膜的制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种铁薄膜的制备方法，该制备方法以Fe2O3陶瓷靶为溅射靶，利用磁控溅射沉积设备，用Ar与H2的混合气体为溅射及还原气体，通过选择合适的H2与Ar比例、沉积温度及生长室压力，制备了铁薄膜。由于Fe2O3靶材不是铁磁性材料，因此溅射源可以采用普通的永磁型溅射源，无需采用特殊的溅射源；同时，Fe2O3比单质铁更容易获得高纯度；此外，Fe2O3靶材的生产成本较低，有利于工业化生产。实验结果表明，本发明制备的铁薄膜结晶质量高，重复性好。 |
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