| 专利名称 | 掺杂的钛钴锑基热电复合材料及其制备方法 | 申请号 | CN200610117816.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN1958820 | 公开(授权)日 | 2007.05.09 | 申请(专利权)人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明(设计)人 | 陈立东;吴汀;柏胜强;赵雪盈 | 主分类号 | C22C12/00(2006.01) | IPC主分类号 | C22C12/00(2006.01);C22C30/00(2006.01);C22C1/02(2006.01) | 专利有效期 | 掺杂的钛钴锑基热电复合材料及其制备方法 至掺杂的钛钴锑基热电复合材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一类掺杂的钛钴锑基热电复合材料 及其制备方法,其特征在于所述热电复合材料组成通式为 Ti1+xCoy (Me) 1- ySbz(Me’) 1-z, 式中x=0.05-0.20,y=0.80-1.0,z=0.85-1.0;Me为Ni、 Fe、Pd和Pt中的一种;Me’为Sn、Te和Ge中的一种,x、y、 z为摩尔百分比,其制备方法特征是按组成式配料,压制成片 状,然后经二次熔炼制得分散均匀的纳米级 TiO2颗粒,在利用掺杂提高基体 材料电传输性能的同时,大幅降低材料的晶格热导率,从而提 高材料的热电性能。 |
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