| 专利名称 | 一种超高强度高导电率块体纯铜材料及制备方法 | 申请号 | CN200510047555.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1955329 | 公开（授权）日 | 2007.05.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 陶乃镕;李玉胜;卢柯 | 主分类号 | C22F1/08(2006.01) | IPC主分类号 | C22F1/08(2006.01) | 专利有效期 | 一种超高强度高导电率块体纯铜材料及制备方法 至一种超高强度高导电率块体纯铜材料及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 |
本发明涉及纳米晶体材料的改进技术，特别是一种具有超高强度、高导电率的块体高密度纳米孪晶金属纯铜及其制备方法。块体纯铜材料微观结构主要特征是束状高密度纳米机械孪晶，平均孪晶层片厚度为几十纳米，长度几百纳米。基体与孪晶内部皆有高密度位错存在，其拉伸屈服强度750MPa左右，其电阻率达到1.81×10－8Ω.m。超高强度、高导电率块体纯铜材料制备方法是利用动态高速变形技术，对块体纯铜进行单方向多次处理，变形应变速率：范围102－104s－1；变形应变量：总变形量大于1.8(计算方法： |
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