| 专利名称 | 一种层状集成的三维磁场传感器及其制备方法和用途 | 申请号 | CN200510116757.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1955753 | 公开（授权）日 | 2007.05.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 王磊;韩秀峰;魏红祥;杨捍东;翟光杰 | 主分类号 | G01R33/02(2006.01) | IPC主分类号 | G01R33/02(2006.01);G01R33/09(2006.01);H01L43/10(2006.01) | 专利有效期 | 一种层状集成的三维磁场传感器及其制备方法和用途 至一种层状集成的三维磁场传感器及其制备方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种层状集成的三维磁场传感器，其 为在磁性多层膜上经常规半导体制备工艺，形成的独立的分别 对三维空间感应的磁场传感器，所述的磁性多层膜包括一片基 及其上的缓冲层，在缓冲层上依次沉积三个由叠加的隧道结或 /和巨磁电阻材料的磁组元件形成的磁性传感器单元，还包括在 两个磁性传感器单元之间的绝缘层，及第三磁性传感器单元上 的覆盖层；每一个磁性传感器单元均包括反铁磁层、钉扎层、 非磁性层、和自由层，且钉扎层和自由层方向垂直，在没有外 加磁场时三个磁电阻元件的自由层有一个易轴方向，钉扎层的 三个易轴方向相互垂直，分别具有垂直于片基和平行于片基、 且相互垂直的磁场感应方向。该三维集成地磁场传感器可用于 检测三维磁场。 |
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