| 专利名称 | 基于自组装技术的交叉阵列结构有机器件制备方法 | 申请号 | CN200510109338.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1949475 | 公开（授权）日 | 2007.04.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王丛舜;胡文平;涂德钰;姬濯宇;刘明 | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) | IPC主分类号 | H01L21/82(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L51/40(2006.01) | 专利有效期 | 基于自组装技术的交叉阵列结构有机器件制备方法 至基于自组装技术的交叉阵列结构有机器件制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法， 其工艺步骤如下：1.在基片表面上淀积绝缘薄膜；2.在绝缘薄 膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到下电极图形；3.蒸发、剥离金 属得到交叉线下电极；4.旋涂抗蚀剂，光刻得到与下电极交叉 的上电极图形；5.蒸发、剥离金属得到上电极；6.液相法自组 织生长有机分子材料；7.干法刻蚀多余的有机分子材料，完成 交叉线有机分子器件的制备。 |
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