| 专利名称 | 可调谐分布反馈量子级联激光器的波导与光栅的结构及所述光栅的制备方法 | 申请号 | CN200610030991.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1945910 | 公开（授权）日 | 2007.04.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 徐刚毅;李耀耀;李爱珍 | 主分类号 | H01S5/12(2006.01) | IPC主分类号 | H01S5/12(2006.01);H01S5/20(2006.01);H01S5/343(2006.01);H01S5/00(2006.01) | 专利有效期 | 可调谐分布反馈量子级联激光器的波导与光栅的结构及所述光栅的制备方法 至可调谐分布反馈量子级联激光器的波导与光栅的结构及所述光栅的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种旨在获得低阈值电流密度、高边 模抑制比的可调谐分布反馈量子级联激光器的波导和光栅结 构，并发明了实现设计结构要求的激光器一级光栅的制备方 法。所述的激光器波导与光栅结构是一种利用一个深的一级光 栅和一个在光栅下方的薄的重掺杂半导体层构成波导中的限 制结构。所述的光栅腐蚀技术是利用InGaAs/InP结构作为光栅 的腐蚀牺牲层，选择不同的腐蚀液配比，获得深度大范围可调， 精度可控的光栅结构。 |
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