| 专利名称 | 一种超薄氮化硅/二氧化硅叠层栅介质的制备方法 | 申请号 | CN200510086488.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1937184 | 公开（授权）日 | 2007.03.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 林刚;徐秋霞 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/314(2006.01) | 专利有效期 | 一种超薄氮化硅/二氧化硅叠层栅介质的制备方法 至一种超薄氮化硅/二氧化硅叠层栅介质的制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种超薄氮化硅/二氧化硅叠层栅介质的制备方 法，采用常规的低成本低压化学汽相沉积(LPCVD)方法来制备 超薄 Si3N4膜，得到性能优良的等效氧化层厚度(EOT)为1.9nm的超 薄 Si3N4/SiO2 stack栅介质。并在此 基础上详细研究了 Si3N4/SiO2 (N/O)stack栅介质的 特性，成功应用于栅长为0.13μm高性能N/O stack栅介质 CMOS器件研制。为深亚微米CMOS器件所必需的高性能栅 介质制备提供了一种方便可行的方法。 |
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