| 专利名称 | 一种GOI晶片结构的制备方法 | 申请号 | CN201210225637.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102738060A | 公开（授权）日 | 2012.10.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张苗;叶林;狄增峰;薛忠营 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 一种GOI晶片结构的制备方法 至一种GOI晶片结构的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种GOI晶片结构的制备方法，该方法首先利用Smart-Cut技术制作出SGOI晶片结构，然后对SGOI晶片结构进行锗浓缩，从而得到GOI晶片结构。由于利用Smart-Cut技术制作的SGOI在SGOI/BOX界面基本不存在失配位错，从而最终降低了GOI的穿透位错。本发明工艺简单，可实现高质量GOI晶片结构，大大改进了锗浓缩技术，离子注入技术、退火技术在目前半导体行业都是非常成熟的工艺，该制备方法大大提高了锗浓缩在半导体工业界广泛应用的可能性。 |
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