| 专利名称 | 一种制作晶体管和半导体器件的方法 | 申请号 | CN201110083546.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102737996A | 公开（授权）日 | 2012.10.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制作晶体管和半导体器件的方法 至一种制作晶体管和半导体器件的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 提供了一种制作晶体管和半导体器件的方法。制作晶体管的方法可以包括：在半导体衬底上确定有源区，在所述有源区上形成栅叠层或伪栅叠层、源漏延伸区、侧墙和源漏区，所述源漏延伸区嵌于所述有源区中且自对准于所述栅叠层或伪栅叠层两侧，所述侧墙环绕所述栅叠层或伪栅叠层，所述源漏区嵌于所述有源区中且自对准于所述侧墙外；至少去除部分所述侧墙，以暴露部分所述有源区；形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述栅叠层或伪栅叠层、所述侧墙和暴露的所述有源区，所述层间介质层材料的介电常数小于被去除的所述侧墙材料的介电常数。利于减小栅极区域和源漏区之间以及栅极区域和接触塞之间的电容。 |
1、源头对接，价格透明
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