| 专利名称 | 相变存储器存储单元及其制备方法 | 申请号 | CN200610117153.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1933207 | 公开（授权）日 | 2007.03.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;刘波;封松林;陈邦明 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01);G11C11/56(2006.01) | 专利有效期 | 相变存储器存储单元及其制备方法 至相变存储器存储单元及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种相变存储单元及其制备方法，其 特征在于：在衬底上覆盖有下电极层；在下电极上覆盖有绝热 材料层，绝热材料层中存在孔洞；孔洞中包含与下电极相通的 空心柱状加热电极材料结构；柱状加热电极上覆盖有绝热材料 层，绝热材料层中包含与柱状加热电极套刻的孔洞；且在柱状 加热电极孔内和绝热材料层孔洞内含有可逆相变材料层；在相 变材料层上覆盖有绝热材料层，在绝热材料层中包含孔洞，并 在其内填充了与相变材料相通的上电极材料。本发明将相变材 料限定在加热电极的空心柱与绝热材料中的孔洞里，在电脉冲 对存储单元进行操作时，使相变材料处于高温，高压环境下， 优先发生相变，诱导周围的相变材料进一步相变，从而实现相 变存储单元的低压、低功耗、高速功能。 |
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