| 专利名称 | 掺杂超晶格结构的太阳能电池及其制备方法 | 申请号 | CN201210203837.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102738266A | 公开（授权）日 | 2012.10.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 郑新和;李雪飞;张东炎;吴渊渊;陆书龙;杨辉 | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/077(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 掺杂超晶格结构的太阳能电池及其制备方法 至掺杂超晶格结构的太阳能电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种掺杂超晶格结构的太阳能电池，包括第一GaAs层和有源区，所述有源区置于第一GaAs层的裸露表面上，所述有源区包括第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构，所述第二GaNAs/InGaAs超晶格结构设置于第一GaNAs/InGaAs超晶格结构表面，所述第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同，且第一GaNAs/InGaAs超晶格结构中InGaAs层和GaNAs层均掺杂同种导电类型的杂质。本发明还提供一种上述掺杂超晶格结构的太阳能电池的制备方法，在第一GaAs层的裸露表面上依次生长第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构以形成有源区，所述第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同，且第二GaNAs/InGaAs超晶格结构中InGaAs层和GaNAs层均掺杂同种导电类型的杂质。 |
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