| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201110094967.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102738234A | 公开（授权）日 | 2012.10.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种半导体器件，包括栅堆叠、源区、漏区、接触塞和层间介质，所述栅堆叠形成于衬底上，所述源区和所述漏区位于所述栅堆叠两侧且嵌于所述衬底中，所述接触塞嵌于所述层间介质中，其中，所述接触塞包括第一部，所述接触塞以所述第一部接于所述源区和/或所述漏区上，所述第一部的上表面与所述栅堆叠的上表面齐平，且所述第一部的侧壁与其底壁的夹角小于90°。还提供了一种半导体器件的制造方法。既可使该第一部与源区和/或漏区的接触面积增大，利于减小接触电阻；也可使该第一部的顶部与栅堆叠的顶部之间的距离增大，利于降低该第一部与栅堆叠之间短路的可能性。 |
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