| 专利名称 | 一种基于TiOx结构的忆阻器及其制备方法 | 申请号 | CN201110090834.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102738387A | 公开（授权）日 | 2012.10.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘明;李颖弢;龙世兵;刘琦;张森;王艳;连文泰 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于TiOx结构的忆阻器及其制备方法 至一种基于TiOx结构的忆阻器及其制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种基于TiOx结构的忆阻器及其制备方法。所述基于TiOx的忆阻器包括上电极和下电极，所述上电极和下电极之间设有TiOx存储介质层。本发明解决了现有忆阻器制作成本高的问题，同时该忆阻器的制作工艺简单，与传统CMOS工艺兼容性好。 |
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