| 专利名称 | 基于湿法剥离垂直结构发光二极管的制作方法 | 申请号 | CN201210181322.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102709411A | 公开（授权）日 | 2012.10.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 吴奎;魏同波;蓝鼎;闫建昌;刘喆;王军喜;张逸韵;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 基于湿法剥离垂直结构发光二极管的制作方法 至基于湿法剥离垂直结构发光二极管的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种基于湿法剥离垂直结构发光二极管的制作方法，包括：在衬底上依次制作二氧化硅掩蔽层和紧密排列的自组装PS球；刻蚀、加热、蒸镀金属层；去除自组装PS球表面的金属层，形成网孔状金属层；加热使自组装PS球气化形成纳米网孔状金属层；刻蚀网孔状金属层形成二氧化硅纳米网孔阵列；用酸液腐蚀掉纳米网孔状金属层；在二氧化硅纳米网孔阵列上依次外延u-GaN层、n-GaN层、多量子阱结构、电子阻挡层和p-GaN层；将衬底磨抛减薄；在p-GaN层上依次制作金属反射镜、金属支撑衬底；在衬底激光划出沟槽；涂一层光刻胶保护层；超声去掉二氧化硅纳米网孔阵列形成空气桥；放于高温浓硫酸和磷酸混合溶液中或KOH溶液中腐蚀，使衬底与u-GaN层剥离，形成垂直结构LED管芯，形成光子晶体表面。 |
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