| 专利名称 | 用于提高非制冷红外焦平面阵列器件性能的制作方法 | 申请号 | CN200510090179.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1911781 | 公开（授权）日 | 2007.02.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 石莎莉;陈大鹏;李超波;焦斌斌;欧毅;叶甜春 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01) | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01);B81B7/00(2006.01);H01L21/00(2006.01);G01K7/00(2006.01) | 专利有效期 | 用于提高非制冷红外焦平面阵列器件性能的制作方法 至用于提高非制冷红外焦平面阵列器件性能的制作方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种用于提高非制冷红外焦平面阵列器件性能 的制作方法，步骤如下：在双抛光<100>硅基片双表面淀积上 氮化硅薄膜和下氮化硅薄；在下氮化硅薄膜上光刻、刻蚀，形 成背面阵列腐蚀窗口图形；腐蚀减薄硅基片，形成倒梯形缺口； 清洗处理表面，在背面的倒梯形缺口和下氮化硅薄膜的表面上 淀积氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜上光刻、刻蚀，形成背面单元 腐蚀窗口图形；在上氮化硅薄膜上光刻，刻蚀，形成非制冷红 焦平面阵列图形；在非制冷红焦平面阵列图形上光刻，蒸金薄 膜，剥离，形成间隔镀金图形；腐蚀硅基片，形成单元镂空式 非制冷红外焦平面阵列器件。 |
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