| 专利名称 | 一种MEMS微型高灵敏度磁场传感器及制作方法 | 申请号 | CN200610030766.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1912646 | 公开（授权）日 | 2007.02.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 吴亚明;刘玉菲;李四华;万助军 | 主分类号 | G01R33/02(2006.01) | IPC主分类号 | G01R33/02(2006.01);G01R33/032(2006.01);G03F7/00(2006.01) | 专利有效期 | 一种MEMS微型高灵敏度磁场传感器及制作方法 至一种MEMS微型高灵敏度磁场传感器及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种MEMS微型高灵敏度磁场传感 器及制作方法，其特征在于所述的磁场传感器是由双端固置式 MEMS扭转微镜、磁性敏感薄膜和双光纤准直器构成；金属反 馈电极和磁性敏感薄膜之间形成器件扭转间隙；通过调节架， 利用光学封装树脂，完成与双光纤准直器的封接。其制作方法 特征是利用MEMS技术制作微磁敏感结构与光纤检测技术结 合，包括传感器基底及反馈电极制作、传感器磁场薄膜的制作、 器件键合、整体减薄及反射镜面的制作以及器件扭转结构释放 四大步骤，所提供的磁场传感器最小可敏感到60nT的微弱磁 场，灵敏度达0.6dB/μT。有利于批量生产和器件成本的降低。 |
1、源头对接，价格透明
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