| 专利名称 | 碳硅化钛基梯度材料及原位反应的制备方法 | 申请号 | CN200610030080.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1908214 | 公开（授权）日 | 2007.02.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 王连军;张建峰;江莞;陈立东 | 主分类号 | C22C29/06(2006.01) | IPC主分类号 | C22C29/06(2006.01);C22C1/05(2006.01);B22F9/04(2006.01);B22F3/14(2006.01) | 专利有效期 | 碳硅化钛基梯度材料及原位反应的制备方法 至碳硅化钛基梯度材料及原位反应的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种碳硅化钛基梯度材料及原位反 应的制备方法，其特征在于所制备的梯度材料一端是单相 Ti3SiC2，另一端为 Ti3SiC2－TiC或SiC－TiC相，中间至少一层，制备方法是按组 成，选择Ti、Si、C和Al为原料，混和后放电等离子原位反 应烧结，烧结温度为1200－1500℃，升温速率为80－200℃ /min，压力为50－70MPa，保温6－10分钟。本发明特征在于 使用商用粉体为原料，采用SPS原位反应烧结，反应时间短， 能耗低，具有良好的产业化前景。 |
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