| 专利名称 | 锰钴镍薄膜热敏材料的制备方法 | 申请号 | CN200610030144.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1908229 | 公开（授权）日 | 2007.02.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 侯云;黄志明;葛玉建;蔡愚;禇君浩 | 主分类号 | C23C18/02(2006.01) | IPC主分类号 | C23C18/02(2006.01);C23C18/08(2006.01) | 专利有效期 | 锰钴镍薄膜热敏材料的制备方法 至锰钴镍薄膜热敏材料的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明书提供了一种湿化学法制备锰钴镍 (MnCoNi)薄膜材料的新型方法，完全改变了传统的制备工艺。 此方法可以在较低温度下制备出大面积均匀、稳定的MnCoNi 薄膜热敏材料，并可以与硅工艺兼容，突破传统陶瓷器件的局 限性，以满足当代航空航天技术对该类器件的要求。 |
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