| 专利名称 | 基于真空粘合工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法 | 申请号 | CN200510012238.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1900668 | 公开（授权）日 | 2007.01.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 石莎莉;陈大鹏;欧毅;叶甜春 | 主分类号 | G01L1/00(2006.01) | IPC主分类号 | G01L1/00(2006.01);B81C1/00(2006.01) | 专利有效期 | 基于真空粘合工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法 至基于真空粘合工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 基于真空粘合工艺的热剪切应力传感器器件的 制作方法，涉及微电子技术领域，该方法包括步骤：1.在双抛 光1#<100>硅基片双表面淀积氮化硅薄膜；2.在正面氮化硅薄 膜上淀积多晶硅薄膜，进行硼掺杂，光刻，刻蚀多晶硅薄膜， 清洗处理表面；3.正面光刻，蒸金，剥离，形成布线图形；4. 在背面氮化硅薄膜上光刻、刻蚀氮化硅薄膜，形成背面腔体和 划片槽腐蚀窗口图形；5.正面保护，腐蚀背硅，形成腔体和划 片槽；6.将单抛光2#<100>硅基片划片；7.将1－5步操作后的 1#硅片划片；8.将划好的1#硅片背面与划好的2#硅片的抛光面 真空粘合。 |
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