| 专利名称 | 基于闭合状磁性多层膜的磁性随机存取存储器及控制方法 | 申请号 | CN200610011168.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1901088 | 公开（授权）日 | 2007.01.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 韩秀峰;马明;姜丽仙;韩宇男;覃启航;魏红祥 | 主分类号 | G11C11/15(2006.01) | IPC主分类号 | G11C11/15(2006.01);G11C7/00(2006.01) | 专利有效期 | 基于闭合状磁性多层膜的磁性随机存取存储器及控制方法 至基于闭合状磁性多层膜的磁性随机存取存储器及控制方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种基于闭合状磁性多层膜的磁性 随机存取存储器，其使用闭合状磁性多层膜或闭合状含金属芯 的磁性多层膜作为存储单元。该MRAM是通过流经存储单元 中的电流的大小和方向来实现读操作和写操作；或是通过对存 储单元中的金属芯施加的电流来实现写操作，通过对存储单元 中的闭合状磁性多层膜施加的隧穿电流来实现读操作。与现有 技术相比，该MRAM通过采用新的闭合状的磁性多层膜作为 存储单元，利用正负两个方向的极化隧穿电流自身产生的环行 磁场或者金属芯中正负两个方向的驱动电流产生的环形磁场， 并结合自旋转力矩效应，进行数据的读写操作，使得MRAM 的控制更加简便，并降低了结构的复杂性、制造工艺难度及成 本，提高了应用价值。 |
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