| 专利名称 | 采用氧化硅填充－回刻的交叉阵列结构有机器件制备方法 | 申请号 | CN200510012171.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1897322 | 公开（授权）日 | 2007.01.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王丛舜;涂德钰;刘明 | 主分类号 | H01L51/40(2006.01) | IPC主分类号 | H01L51/40(2006.01) | 专利有效期 | 采用氧化硅填充－回刻的交叉阵列结构有机器件制备方法 至采用氧化硅填充－回刻的交叉阵列结构有机器件制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法， 其工艺步骤如下： 1.在基片表面上淀积氮化硅薄膜；2.在氮 化硅薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到电极图形；3.利用抗蚀 剂掩蔽刻蚀氮化硅薄膜；4.蒸发、剥离金属得到交叉线下电极； 5.淀积氧化硅以填充氮化硅沟槽；6.刻蚀氧化硅至氮化硅薄膜 表面；7.旋涂抗蚀剂，光刻得到上电极图形；8、蒸发、剥离金 属得到上电极；9.去除上下电极之间残留的氧化硅；10.液相法 生长有机分子材料；11.刻蚀，完成交叉线有机分子器件的制备。 |
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