| 专利名称 | 硅基光电异质集成方法及硅基光电异质集成芯片 | 申请号 | CN200910312831.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102117820A | 公开（授权）日 | 2011.07.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘新宇;周静涛;申华军;张轩雄;刘洪刚;吴德馨 | 主分类号 | H01L27/15(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/15(2006.01)I;G02B6/122(2006.01)I;G02B6/26(2006.01)I | 专利有效期 | 硅基光电异质集成方法及硅基光电异质集成芯片 至硅基光电异质集成方法及硅基光电异质集成芯片 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种硅基光电异质集成方法及硅基光电异质集成芯片，属于光电异质集成技术领域。所述方法包括：在硅晶片上设置硅基无源光子器件作为光信息传输通道；在III-V族晶片中设置CMOS微电子集成电路；在III-V族晶片上通过一次外延实现有源光子器件和CMOS微电子集成电路的有源区多层量子阱结构；采用整片的晶片键合工艺在硅晶片上键合III-V族晶片；在III-V族晶片中设置光耦合器。本发明在同一III-V族材料层中实现了微电子电路和有源光子器件的集成，为硅基光电异质集成芯片的研制和应用提供了可行性；本发明可广泛应用于研制下一代高密度、大容量、多功能的单片集成光电芯片。 |
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