| 专利名称 | 电阻转换存储纳米结构及其自对准制造方法 | 申请号 | CN201010532660.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102117823A | 公开（授权）日 | 2011.07.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张挺;张兵;宋志棠;顾怡峰;刘波;封松林 | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 电阻转换存储纳米结构及其自对准制造方法 至电阻转换存储纳米结构及其自对准制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种电阻转换存储纳米结构及其自对准制造方法，该纳米结构是柱状的，柱状结构中包含具有开关特性的选通管和电阻转换存储单元，此外还可包含电极。本发明提出的自带选通管的电阻转换存储纳米结构及其制造方法.解决超小尺寸电阻转换纳米线与大尺寸选通管的矛盾，避开低效率、高难度集成问题，实现电阻转换纳米线与选通管的无缝对接，最终通过低成本的方法实现超高密度、高性能的电阻转换存储器阵列的高效制造。 |
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