| 专利名称 | 一种具有扩展型沟槽的DRAM结构及其制作方法 | 申请号 | CN201010264004.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101997000A | 公开（授权）日 | 2011.03.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 黄晓橹;陈静;张苗;王曦 | 主分类号 | H01L27/108(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/108(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I | 专利有效期 | 一种具有扩展型沟槽的DRAM结构及其制作方法 至一种具有扩展型沟槽的DRAM结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种具有扩展型沟槽的DRAM结构及其制作方法，该结构包括NMOS晶体管和与其源极相连的沟槽电容器，该沟槽电容器包括半导体衬底、交替排列的N型SiGe层和N型Si层、沟槽、电介质层和多晶硅层，沟槽位于交替排列的N型SiGe层和N型Si层内，深入至半导体衬底，其侧壁剖面为梳齿形，交替排列的N型SiGe层和N型Si层作为沟槽电容器的下极板，电介质层位于沟槽内壁表面，多晶硅层填充于沟槽内作为沟槽电容器的上极板；在交替排列的N型SiGe层和N型Si层之上还制备有P型Si层，所述NMOS晶体管制作于该P型Si层上。本发明方法用掺杂和外延技术交替生长N型SiGe层和N型Si层并用选择性刻蚀制作出梳齿形的侧壁，改进了DRAM中深槽式电容器的结构，简化了制作工艺。 |
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