| 专利名称 | 一种硅基光电器件集成方法 | 申请号 | CN200910091402.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101996947A | 公开（授权）日 | 2011.03.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 李运涛;俞育德;余金中 | 主分类号 | H01L21/822(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/822(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 一种硅基光电器件集成方法 至一种硅基光电器件集成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种硅基光电器件集成方法，该方法包括：在硅衬底上制备电子学器件；在已经制备硅电子学器件的硅衬底上制备二氧化硅层；在二氧化硅层上制备多晶硅；在多晶硅上制备硅光子学器件；刻蚀过孔，淀积金属实现电学互连。本发明提供的硅基光电器件集成方法所采用的工艺均为微电子标准工艺，易于实现，合格率高，且集成度高，单片集成，易于封装，尤其适合于高速电子学器件与光学器件集成芯片的制备。 |
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