| 专利名称 | 一种线性响应巨磁电阻效应多层膜 | 申请号 | CN200910091793.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101996734A | 公开（授权）日 | 2011.03.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 刘涛;蔡建旺 | 主分类号 | H01F10/32(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F10/32(2006.01)I;H01F10/26(2006.01)I;H01F10/30(2006.01)I | 专利有效期 | 一种线性响应巨磁电阻效应多层膜 至一种线性响应巨磁电阻效应多层膜 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种线性响应巨磁效应多层膜，该多层膜主要用作为巨磁电阻传感器的核心部件。该多层膜的特点在于其自由层为复合自由层，它在具有垂直耦合的多层膜“反铁磁偏置层/铁磁层/反铁磁间隔层/铁磁自由层”或者其反结构中“反铁磁间隔层”的上下两界面的任一处或两处插入一定厚度范围的非磁的“调控间隔层”。“调控间隔层”的插入可以很好地起到优化“铁磁自由层”线性度、大大降低其矫顽力的作用；此外，本发明通过改变“调控间隔层”的厚度可以调控“铁磁自由层”和“铁磁层”的垂直耦合强度从而调控“铁磁自由层”在垂直“铁磁层”钉扎方向的各向异性场的大小，亦即巨磁电阻传感器的磁场线性响应范围。 |
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