| 专利名称 | 一种GaAs HBT双边沿触发流水线累加器结构 | 申请号 | CN200910091373.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101996064A | 公开（授权）日 | 2011.03.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘新宇;陈高鹏;吴旦昱;金智;武锦 | 主分类号 | G06F7/501(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F7/501(2006.01)I | 专利有效期 | 一种GaAs HBT双边沿触发流水线累加器结构 至一种GaAs HBT双边沿触发流水线累加器结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种GaAs?HBT双边沿触发流水线累加器结构，该结构为一由N级1-bit全加器并行构成的流水线结构，N为大于2的自然数，每一级1-bit全加器完成累加运算之后向外部输出累加之和，并且向下一级1-bit全加器输出进位信号。利用本发明，在每个时钟周期内可以进行两次累加运算，从而实际上将累加器的速度提升为时钟频率两倍，大幅提升了累加器的速度。 |
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