| 专利名称 | 一种热解氮化硼坩埚表层镀膜方法及装置 | 申请号 | CN200510012052.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1888126 | 公开（授权）日 | 2007.01.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 高永亮;惠峰;王文军 | 主分类号 | C23C14/08(2006.01) | IPC主分类号 | C23C14/08(2006.01);C23C14/24(2006.01);C30B15/00(2006.01);F27B14/10(2006.01) | 专利有效期 | 一种热解氮化硼坩埚表层镀膜方法及装置 至一种热解氮化硼坩埚表层镀膜方法及装置 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) | 说明书摘要 | 本发明属于半导体技术领域，特别是LEC法生 长体单晶的准备工艺中PBN坩埚表层镀膜方法及装置。装置 包括：装挥发性材料的容器；一套加热系统和温控设备；一套 支撑系统；一座封闭炉室和真空设备，提供挥发空间。方法包 括：在传统处理工艺基础上，通过加热系统和温控设备控制升 温、恒温、降温，将高含水 B2O3脱水并使其挥发，扩散至处于低温端的PBN坩埚的表层， 形成 B2O3薄膜。 |
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