| 专利名称 | 一种CMOS工艺兼容的嵌入悬浮螺管结构电感或互感的制作方法 | 申请号 | CN200610029276.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1889233 | 公开（授权）日 | 2007.01.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李昕欣;顾磊 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 专利有效期 | 一种CMOS工艺兼容的嵌入悬浮螺管结构电感或互感的制作方法 至一种CMOS工艺兼容的嵌入悬浮螺管结构电感或互感的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种与CMOS工艺兼容的嵌入悬浮 螺管结构电感或互感的制作方法，其特征在于首先在硅片的表 面电镀出电感或互感的上导线，再利用各向异性腐蚀形成“V” 字形或倒梯形的沟槽，在沟槽里面制作电感或互感的下导线， 并使下导线与上导线在硅片表面处交叠，形成良好的电连接， 最后采用XeF2气体各向同性干 法腐蚀释放出整个线圈结构。电感或互感的线圈由两边的二氧 化硅层支撑。本发明采用常温工艺在普通硅片上实现一种高Q 值(品质因数)的螺管形电感或高增益的互感，工艺步骤简明、 成品率高，整个器件工艺与CMOS工艺相兼容。且器件悬浮的 嵌入于硅片内部，有利于封装和后序工艺加工。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障