| 专利名称 | 一种采用微转移图案化图形作为掩模板的光刻图案化方法 | 申请号 | CN200610017027.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1888978 | 公开（授权）日 | 2007.01.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 韩艳春;邢汝博;于新红 | 主分类号 | G03F7/00(2006.01) | IPC主分类号 | G03F7/00(2006.01) | 专利有效期 | 一种采用微转移图案化图形作为掩模板的光刻图案化方法 至一种采用微转移图案化图形作为掩模板的光刻图案化方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种采用微转移图案化图形作为掩 模板的光刻图案化方法。该方法的薄膜结构具有金属薄膜、热 塑性高分子薄膜、光刻胶薄膜三层组成。金属薄膜图形采用微 转移图案化的方法得到，并可以作为后续的光刻掩模板，与传 统的多层结构光刻图案化相比，省略了一次光刻加工。同时由 于上层的图案化金属薄膜不受曝光和显影过程的影响，因此即 使曝光时间或者显影时间出现偏差，金属薄膜图形依然可以保 证剥离工艺得到与金属薄膜尺寸相符的传递图形。另外，由于 本方法可以得到边缘直立甚至向内凹陷的光刻胶侧壁结构，因 此该光刻胶图形可以用作有机发光矩阵显示的有机发光层和 电极层的分隔器。加工精度达到1微米以下，高于负性光刻胶 10微米的图案化精度。 |
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