| 专利名称 | 一种填充方钴矿基热电复合材料及其制备方法 | 申请号 | CN200610027340.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1888105 | 公开（授权）日 | 2007.01.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 陈立东;赵雪盈;柏胜强;史迅 | 主分类号 | C22C12/00(2006.01) | IPC主分类号 | C22C12/00(2006.01);C22C1/03(2006.01);C22C1/05(2006.01);B22F9/04(2006.01);B22F3/105(2006.01) | 专利有效期 | 一种填充方钴矿基热电复合材料及其制备方法 至一种填充方钴矿基热电复合材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种填充方钴矿基热电复合材料及 其制备方法，属于热电材料领域。该材料的组成式为 IyA4B12/zIOx，I为Yb或Eu或Ce或La或Nd或Ca或Sr中的一 种，A为Sb或者Sb和Ge或Sn或Te或Se中一种的混合，B 为Co或者Co和Fe或Ni中一种的混合，y为I元素的实际填 充量，y+z＝m，m大于填充方钴矿原子的填充极限。该材料采 用先采用熔融法合成块体材料，即按I∶Co∶Sb＝m∶4∶12 摩尔比配料后，封入密闭的石英管中。将原料加热至熔融状态， 经过充分化学反应并冷却后，获得块体材料，再用机械粉碎并 研磨成粉末。然后将上述粉末用脉冲直流通电快速烧结成致密 的块体。该材料在降低晶格热导率同时不影响材料的电传输性 能，从而提高材料的热电转换性能。 |
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