| 专利名称 | 一种晶锭与热解氮化硼坩埚脱离方法及设备 | 申请号 | CN200510012053.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1888146 | 公开（授权）日 | 2007.01.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 高永亮;惠峰;王文军 | 主分类号 | C30B9/00(2006.01) | IPC主分类号 | C30B9/00(2006.01);C30B11/00(2006.01) | 专利有效期 | 一种晶锭与热解氮化硼坩埚脱离方法及设备 至一种晶锭与热解氮化硼坩埚脱离方法及设备 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明属于半导体技术领域，特别指垂直梯度凝 固(VGF)法或垂直布里奇曼(VB)法生长半导体单晶工艺中晶锭 与热解氮化硼(PBN)坩埚脱离方法及设备。设备包括：一套温 控设备和加热炉体、一套PBN坩埚支撑系统、一台超声波发 生器。方法过程如下：采用的温控设备和加热炉体用于对生长 完的晶锭与PBN坩埚进行升温、恒温、降温；根据三氧化二 硼 (B2O3)的特性，温度降至室温，在晶锭和坩埚壁间依然会有残留， 所以取出晶锭和坩埚，放入盛有甲醇的超声波发生器箱体内， 进行超声处理，即可去除残留 B2O3，顺利分离晶锭与PBN坩埚。 |
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