| 专利名称 | 一种碳化硅单晶生长后的热处理方法 | 申请号 | CN200610081294.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1884639 | 公开（授权）日 | 2006.12.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 朱丽娜;陈小龙;倪代秦;杨慧;彭同华 | 主分类号 | C30B33/02(2006.01) | IPC主分类号 | C30B33/02(2006.01);C30B29/36(2006.01) | 专利有效期 | 一种碳化硅单晶生长后的热处理方法 至一种碳化硅单晶生长后的热处理方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种碳化硅单晶生长后的热处理 方法，该方法将覆碳膜的SiC单晶和粉料置于坩埚中，在加热 炉中氩气保护下升至预定热处理温度，并保温一定时间，随炉 冷却，即可通过热处理过程中的SiC晶体重结晶和固态扩散来 消除部分微管和包裹物缺陷。本发明的实现了SiC单晶中微管 和包裹物缺陷数量的降低，从而提高SiC单晶质量。此外，本 发明工艺简单、成本低廉、易于实现，对SiC单晶缺陷的减少 和质量的提高具有重要的应用价值。 |
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