| 专利名称 | 单层双材料微悬臂梁热隔离焦平面阵列的制作方法 | 申请号 | CN200510011988.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1884039 | 公开（授权）日 | 2006.12.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李超波;陈大鹏;叶甜春;王玮冰 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01) | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01) | 专利有效期 | 单层双材料微悬臂梁热隔离焦平面阵列的制作方法 至单层双材料微悬臂梁热隔离焦平面阵列的制作方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种单层双材料微悬臂梁热隔离焦平面阵列的 制作方法，包括：1.在单晶硅基片上双面生长氮化硅薄膜；2. 用加热的氢氧化钾溶液各向异性腐蚀氮化硅；3.在正面甩正性 光刻胶；4.在背面甩正性光刻胶，光学光刻背面窗口图形；5. 各向异性刻蚀有光刻图形面；6.去除光刻胶；7.在正面甩正性 光刻胶，光学光刻正面氮化硅梁图形；8.在有光刻图形的一面 蒸发、剥离铬薄膜；9.各向异性刻蚀有铬薄膜覆盖的氮化硅； 10.各向同性腐蚀去除铬薄膜；11.在有氮化硅梁图形的正面甩 正性光刻胶，光学光刻正面隔离金图形；12.蒸发、剥离金；13. 用加热的氢氧化钾溶液各向异性腐蚀基片，完成镂空的双材料 微悬臂梁热隔离结构焦平面阵列的制作。 |
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