| 专利名称 | Ⅱ－Ⅵ族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法 | 申请号 | CN200610026935.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1883881 | 公开（授权）日 | 2006.12.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 方维政;徐琰;孙士文;周梅华;刘从峰;涂步华;杨建荣;何力 | 主分类号 | B24B29/02(2006.01) | IPC主分类号 | B24B29/02(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 专利有效期 | Ⅱ－Ⅵ族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法 至Ⅱ－Ⅵ族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种II－VI族半导体材料保护侧 边缘的表面抛光方法，该方法采用先在原片上划出所需的成型 晶片面积，但不划穿透原片，仍然是一块晶片进行抛光。即利 用周围区域小晶片作为陪片进行机械抛光，这样，周围区域的 小晶片就阻挡了中间成型晶片边缘直接与磨料挤压所造成的 碎片、裂缝和缺口缺陷，达到了保护侧边缘的目的。 |
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