| 专利名称 | 光子微结构GaN基蓝光发光二极管的制作方法 | 申请号 | CN200510076327.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1881626 | 公开（授权）日 | 2006.12.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 许兴胜;陈弘达 | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) | IPC主分类号 | H01L33/00(2006.01) | 专利有效期 | 光子微结构GaN基蓝光发光二极管的制作方法 至光子微结构GaN基蓝光发光二极管的制作方法 | 法律状态 | 专利实施许可合同备案的生效、变更及注销 | 说明书摘要 | 一种光子微结构GaN基蓝光发光二极管的制作 方法，包括如下步骤：首先在GaN样品上表面生长一层二氧 化硅层，作为刻蚀GaN材料的掩模层；在二氧化硅掩模上旋 涂上一层光刻胶，需要是对所用激光感光的光刻胶；取一短波 长激光器作为光源，将短波长激光器激光用扩束透镜扩束，扩 束后的光再经会聚透镜聚焦，然后照射在光子微结构模板上， 光子微结构模板在会聚透镜后，二者间距离 ZT，该模板采用电子束曝光技术 制作的模板，其上图形为光子微结构；激光通过光子微结构模 板后，将带有光子微结构模板映像在与其距离为 ZT处的GaN样品上，将光子微 结构模板的像成在GaN样品的光刻胶掩模上，通过干法刻蚀， 将光子微结构可以刻蚀到GaN材料上。 |
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