| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201110265211.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103000664A | 公开（授权）日 | 2013.03.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体层；对所述半导体层构图形成的鳍片；以及跨于所述鳍片上的栅堆叠，其中，所述鳍片在底部包括掺杂的阻挡区。根据本发明的实施例，通过所述阻挡区，可以有利地防止鳍片底部的漏电流。 |
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