| 专利名称 | 化合物铯硼酸硅和铯硼酸硅非线性光学晶体及制备方法和用途 | 申请号 | CN201210452773.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102943305A | 公开（授权）日 | 2013.02.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 潘世烈;吴红萍;俞洪伟 | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B9/12(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I;G02F1/37(2006.01)I;G02F1/39(2006.01)I | 专利有效期 | 化合物铯硼酸硅和铯硼酸硅非线性光学晶体及制备方法和用途 至化合物铯硼酸硅和铯硼酸硅非线性光学晶体及制备方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种化合物铯硼酸硅和铯硼酸硅非线性光学晶体及制备方法和用途，化合物铯硼酸硅的化学式为Cs2B4SiO9，分子量为481.15，采用固相法制备；化合物铯硼酸硅非线性光学晶体的化学式为Cs2B4SiO9，分子量为481.15，不具有对称中心，晶体属四方晶系，空间群晶胞参数为具有宽的透光范围，最短紫外截止边低于190nm，粉末倍频效应为4.6KDP，采用高温熔液自发结晶法、助熔剂法生长晶体；该晶体具有生长速度较快，透明无包裹，成本低，具有比较宽的透光范围，硬度较大，机械性能好，不易碎裂和潮解，易于加工和保存等优点；该晶体在制备倍频发生器、上、下频率转换器或光参量振荡器等非线性光学器件中得到广泛应用。 |
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